[25p-P09-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[25p-P09-3] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP MQWレーザの歪量依存性の検討Ⅱ

〇(M1)阿形 幸二¹、渋川 航大¹、趙 亮¹、佐藤 元就¹、伊藤 慎吾¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：シリコンフォトニクス、光インターコネクション、光通信

IoTやクラウドコンピューティングの発展によって情報通信量が著しく増加し続けている。そのため、従来の電気配線を大容量・低消費電力な光配線へと切り替える光インターコネクションが着目されている。本研究室ではSi基板上にInP薄膜とSi基板を直接貼り付けしたInP/Si基板上においてInP面にⅢ-Ⅴ族デバイスをMOVPE成長させる方法を提案し、光インターコネクション実現に向け、Si基板上半導体レーザについての研究を行っている。今回はwell層に0%～1.07%の圧縮歪を加えたSCH-MQW レーザの歪依存性についての研究の報告を行う。