[25p-P09-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[25p-P09-4] Annealing sequence dependence of directly bonded InP/Si substrate

〇Liang Zhao¹, Motonari Sato¹, Kota Shibukawa¹, Shingo Ito¹, Koji Agata¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia University)

Keywords:Silicon photonics, Optical interconnection, Optical Communication

大規模集積回路の高速大容量通信を低消費電力で実現すべく、Si基板上へのInP系光デバイスの集積が盛んに研究されている。これに対し、我々は、薄膜のInPとSi基板を直接貼付法によって貼り合せ、このInP/Si基板上にInP系結晶の成長をすることで光デバイスの集積および作製を行う手法を提案してきた。今回、InP/Si基板作製における加熱処理の方法を変化させ、基板の表面状態をノマルスキー顕微鏡で観察し、評価を行ったので報告する。