[25p-P09-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[25p-P09-5] Improvements on lasing characteristics of buried heterostructure GaInAsP SCH-MQW laser diode on wafer bonded InP/Si substrate

〇Sae Aoki¹, Kota Shibukawa¹, Xu Han¹, Motonari Sato¹, Shingo Ito¹, Koji Agata¹, Ryosuke Yada¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:semiconductor laser

薄膜InPをシリコンに直接貼り付けをしたInP/Si上に，MOVPE法を用いて光デバイスの作製及び集積する手法を提案する. MOVPE法により作製したGaInAsP SCH-MQWレーザをメサ構造へと加工することで，しきい値電流値の低減を実現させた. 今回，活性層における散乱損失の低下と放熱性の改善を狙い，メサ構造作製後に，2回目の成長として活性層付近にp-InP ，n-InP層を埋め込むことで，埋込(BH)レーザ構造を作製した．