[25p-P11-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[25p-P11-12] Mg ドープ p-GaN を用いた MOS 構造の C-V 特性に対する GaN 表面近傍欠陥準位の影響

〇(M1)玉村 祐也¹、忽滑谷 崇秀¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：GaN、MOS、欠陥準位

p-GaN を用いた MOS 構造の電気的特性は、n-GaN による MOS 構造に比較してよく報告例が少ない。GaN の電荷中性点（E_CNL）は、E_C–1 eV と伝導帯寄りにあるため、p-GaN と絶縁体の界面においては、E_CNL より価電子帯側に分布するドナー型の界面準位が広いエネルギー幅でイオン化して、MOS 構造の電気的特性に影響を与える可能性がある。また、表面近傍の欠陥準位の影響についても検討する必要がある。本研究においては、p-GaN を用いた MOS 構造の C-V 特性に与える界面準位および表面近傍欠陥準位の影響について報告する。