[25p-P11-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[25p-P11-15] 耐放射線イメージセンサに向けた 4H-SiC PD,1 画素デバイス特性

〇(M1)堤 将之¹、目黒 達也¹、河村 和也¹、大島 武²、田中 保宣³ (1.広島大ナノデバイス、2.量研、3.産総研)

キーワード：シリコンカーバイド、イメージセンサ、フォトダイオード

現在のエレクトロニクスでは適応できない高温、高放射などの極限環境でも利用可能な半導体デバイスが求められている。特にイメージセンサは放射線に対し脆弱である。そこで耐放射線イメージセンサの実現に向け、ワイドバンドギャップ半導体のシリコンカーバイドを用いたイメージセンサの開発を行っている。本研究では4H-SiCを基盤上にUV Photodiodeと1画素デバイスを作製し、評価を行った。