[26p-E104-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[26p-E104-4] 表面再結合を考慮したμ-PCDの減衰曲線の解析

〇麓 秀斗¹、三次 伯知¹、佐俣 秀一¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：半導体、シリコンウェーハ、金属汚染

イメージセンサーの高感度化に伴い、高清浄ウェーハが必要となる。金属不純物の汚染評価にはμ-PCDによるライフタイム測定が有効である。
しかし金属不純物が少ない場合、μ-PCDでは表面再結合の影響により信号が指数減衰からずれ、ライフタイムが適切に解析できない。
このため表面再結合を考慮したライフタイムを求める方法を検討した。
その結果、新たな解析法では減衰カーブを再現し、ライフタイムを求められる事が判明した。