[26p-E202-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[26p-E202-11] 溶液塗布熱分解法によって成膜したc 面サファイア基板上 β-Ga₂O₃ 薄膜の物性評価

〇小山 政俊¹、豊田 和晃¹、大内 涼介¹、廣芝 伸哉¹、小池 一歩¹ (1.大阪工大ナノ材研)

キーワード：酸化ガリウム、Ga2O3、溶液塗布熱分解法

Ga₂O₃は約5.0 eVのバンドギャップを持つ半導体材料として，パワーデバイスや深紫外光検出デバイスへの応用が期待されている．本研究では，非真空かつ簡便な装置構成で比較的平坦な薄膜の成膜が可能であり，膜厚制御性にも優れた手法である溶液塗布熱分解法に注目し，溶液塗布熱分解法を用いてc 面サファイア基板上にGa₂O₃薄膜の成膜を試み，その物性評価を行なった結果について報告する．