[26p-F408-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

[26p-F408-10] Si 結晶内酸素が RPD 誘起欠陥に与える影響

〇(DC)原 知彦¹、大浦 伊織¹、大下 祥雄¹ (1.豊田工大)

キーワード：反応性プラズマ蒸着法、シリコン結晶

透明導電膜（TCO） 堆積に使用する反応性プラズマ蒸着法(RPD)によって SiO₂/Si 構造に 10¹² ㎝^-2 eV^-1 程度の欠陥が 導入され、少数キャリア寿命が低下する。本研究では、Si結晶内での酸素原子の挙動に注目し、Si結晶の熱処理によるRPDダメージ量の変化を調べた。その結果、熱処理時間の長さに比例してRPDプロセス後のCz-Si結晶のキャリア寿命が低下した。本講演では、これらのデータを元に、Si結晶内の酸素濃度、及び熱処理条件が与えるRPD誘起欠陥生成への影響について発表する。