14:45 〜 15:00 [16p-A305-8] pn埋込構造を有する半絶縁性InP基板上InGaAsP-MQW DFBレーザ 〇荒井 隼人1、小林 亘1,2、満原 学1、進藤 隆彦1、中島 史人1 (1.NTT 先デ研、2.NTT DIC)