14:30 〜 14:45 △ [17p-A405-7] p/n半導性制御のための不純物ドープβ-Ga2O3薄膜の室温固相結晶化に向けたエキシマレーザーアニールプロセスの検討 〇沼田 拓実1、甲斐 稜也1、大賀 友瑛1、金子 智1,2、松田 晃史1、吉本 護1 (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)