[15a-A409-1~6] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [15a-A409-6] 結晶方位に依存した遷移金属酸化物SrFeO_xへの電気化学的プロトン注入

〇磯田 洋介¹、菅 大介¹、間嶋 拓也²、島川 祐一¹ (1.京大化研、2.京大院工)

キーワード：遷移金属酸化物、電気化学制御、プロトン拡散

本研究では酸素欠損ペロブスカイト鉄酸化物SrFeO_x (SFO)エピタキシャル薄膜をPLD法で異なる面方位を有するLSAT基板上に製膜し，Nafion膜をゲート電解質としたデバイスに電圧を印加することで電気化学的にプロトン注入を行った。ゲート電圧印加前後のX線回折パターンの変化や，弾性反跳検出分析による電圧印加後の薄膜中水素量の定量結果から電気化学的なプロトン注入は(100)配向SFO薄膜にのみ見られた。したがって，電気化学的なプロトン拡散はSFO薄膜の{100}方向に優先的に起こると考えられる。