[15p-D411-1~14] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[15p-D411-4] Si/CaF₂ 四重障壁共鳴トンネル構造を用いた抵抗変化メモリ素子の室温スイッチング特性

〇星野 麻衣子¹、伊藤 滉悟¹、鈴木 優輔¹、宇佐見 遼也¹、村上 寛太¹、鄭 源宰¹、渡辺 正裕¹ (1.東工大工学院)

キーワード：共鳴トンネルダイオード、抵抗変化メモリ

Si/ CaF₂ヘテロ構造は，結晶構造が類似で格子定数が近いことからSi基板上に積層エピタキシャル成長が可能であり，我々はSi/CaF₂共鳴トンネル構造を用いた抵抗変化メモリを提案・実証してきた．本研究では，自然形成によるナノ結晶と比べて構造制御性やばらつき低減に有利なSi/CaF₂四重障壁構造を用いて，両側の共鳴トンネル構造が電荷注入・保持・引抜き動作を担う抵抗変化メモリを提案し，素子作製及び室温I-V特性において基本的なメモリ動作（書き込み・保持・消去）を確認した．