[15p-D704-1~8] 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

[15p-D704-1] B添加によるフェリ磁性Mn₄N薄膜の誘電率テンソルへの影響

〇坂口 穂貴¹、磯上 慎二²、新美 信¹、石橋 隆幸¹ (1.長岡技科大、2.物材機構)

キーワード：誘電率テンソル、窒化物、磁性薄膜

Mn₄N薄膜は, 高い垂直磁気異方性と低い飽和磁化を示すことから高効率な電流誘起磁化反転など, 近年のMn-N系スピントロニクスにおいて注目されている。我々は, 軽元素Bを数at. %加えるだけで, トポロジカルスピン構造を効率よく変調できることを見出した。これらの結果は, BとMnのp-d軌道混成効果に由来している。本研究では, 軽元素によるp-d軌道混成効果を明らかにするために, Mn₄N薄膜の磁気光学効果と誘電率テンソルの B含有量に対するスペクトル依存性を評価した。