[15p-E102-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [15p-E102-10] In-Ga-O薄膜トランジスタにおける電気的特性の組成比及び熱処理温度依存性

〇星川 輝¹、高橋 崇典¹、上沼 睦典¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：透明導電膜、強誘電体電界効果トランジスタ、インジウムガリウム酸化物

三次元集積型強誘電体電界効果トランジスタ(3D-FeFET)は高速動作、低消費電力の観点から注目が集まっている。そこで我々は3D-FeFETのチャネル材料として、 In-Ga-O (IGO) に着目した。先行研究のIGOの組成比では高温熱処理に結晶化に伴う移動度の低下が確認されている。そこで本研究では、高温熱処理耐性を有する多結晶IGOの実現に向けて、最適なIn :Ga組成比を探索した。