[15p-E102-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [15p-E102-12] 【注目講演】TiO₂ (110) 基板上ルチル型SnO₂の選択成長

〇(D)高根 倫史¹、大島 孝仁²、田中 勝久¹、金子 健太郎³ (1.京大、2.物材研、3.立命館大)

キーワード：選択成長、ルチル、酸化スズ

ルチル型構造酸化物半導体の転位密度低減を見据え，r-TiO₂基板上にr-SnO₂の選択成長を試み，その成長機構を明らかにした．まず，選択成長させたr-SnO₂の結晶はルチル結晶の平衡形を再現する．また、r-TiO₂ (110)基板上においてr-SnO₂はVolmer-Weber様式で成長する。TEM観察より，横方向成長領域では，転位が鏡像力効果を受け，その転位の下部で低転位領域が得られた．