[15p-PA04-1~3] 13.3 絶縁膜技術

[15p-PA04-3] Si₃N₄膜とSiO₂膜中の2原子分子の安定位置での生成エネルギー

〇奥 友希¹、戸塚 正裕¹、佐々木 肇¹ (1.三菱電機)

キーワード：信頼性、2原子分子、分子軌道計算

Si₃N₄膜, SiO₂膜中でのH₂O, O₂, N₂, C₂分子透過中の安定位置での生成エネルギー⊿H_dを半経験的分子軌道法で計算した。これらの分子の⊿H_dが網目の変形と静電相互作用の和と等しいとすることで、＋1価と－1価のイオンの中間の値を持つことが説明できた。