[16a-A301-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [16a-A301-8] Fabrication and characterization of high-mobility SiC p-channel MOSFETs utilizing nonpolar faces

〇Kyota Mikami¹, Mitsuaki Kaneko¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:SiC MOSFET, MOS interface, Interface state

SiC無極性面上にpチャネルMOSFETを作製した。その結果、SiC pチャネルMOSFETとして最高移動度の28 cm²/Vs(Si面の2倍以上)が得られた。価電子帯端近傍の低い界面準位密度が、高移動度の一因であると考えられる。本結果は、無極性面にチャネルを有するFinFET CMOSが、高いポテンシャルを有することを示唆する。