[16a-D519-1~14] CS.1 2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析、7.4 量子ビーム界面構造計測、7.5 イオンビーム一般のコードシェアセッション

△ [16a-D519-4] 低速Ar照射Si基板上Au蒸着によるAuナノワイヤ成長モデルの構築

〇(DC)水谷 仁美¹、山本 春也²、高廣 克己¹ (1.京工繊大、2.量研機構高崎)

キーワード：イオンビーム、ナノワイヤ、気相成長

我々は、低速Arイオンを照射したSi基板へのAuの真空蒸着により、単結晶Auナノワイヤ（NW）を低温成長させる新規NW作製法を見出した。イオン照射領域内のSi酸化／非酸化境界付近にAu NWsが成長し、従来の気相成長法よりも低温で作製できる。本研究では、成長機構解明のため、成長モデルを検討した。NW長さの直径依存性の計算値と実験値との比較により、Au原子の表面拡散による成長モデルの妥当性を示した。