Influence of alkali halide insertions on magnetic anisotropy

Jieyi Chen; Shoya Sakamoto; Hidetoshi Kosaki; Shinji Miwa

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一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[16a-D704-1~10] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

2023年3月16日(木) 09:15 〜 12:00 D704 (11号館)

介川裕章(物材機構)、田辺賢士(豊田工大)

10:15 〜 10:30

▲ [16a-D704-5] Influence of alkali halide insertions on magnetic anisotropy

〇(M1)Jieyi Chen¹、Shoya Sakamoto¹、Hidetoshi Kosaki¹、Shinji Miwa^1,2 (1.ISSP-UTokyo、2.TSQS-UTokyo)

キーワード：Magnetoresistive random access memory, Perpendicular magnetic anisotropy, Magnetic multilayers

We inserted various alkali halide layers at the Fe/MgO interface and examined the contribution of electronegativity and spin-orbit interaction of anion atoms to perpendicular magnetic anisotropy.