[16a-E102-1~6] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-E102-1] ミストCVD法による(001) β-Ga₂O₃薄膜のホモエピタキシャル成長

〇上田 遼¹、西中 浩之¹、永岡 達司²、三宅 裕樹²、吉本 昌広¹ (1.京工繊大、2.ミライズテクノロジーズ)

キーワード：酸化ガリウム、エピタキシャル成長、薄膜