[16a-E102-1~6] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-E102-2] 臭素化合物を用いたp型α-(Ir,Ga)₂O₃混晶薄膜の高速成長

〇(M2)菊池 瑛嗣^1,2、服部 太政³、大塚 知紀³、金子 健太郎² (1.京大院工、2.立命館大総研、3.立命館大理工)

キーワード：酸化ガリウム、酸化イリジウム、ミストCVD

酸化ガリウム素子に用いるp型層として、α-Ga₂O₃と同構造かつ格子ミスマッチが0.3%と小さいα-(Ir,Ga)₂O₃に着目しているが、低い成長レートが課題であった。高速成長を目的として、臭素化合物を原料に用いたミストCVD法により、c面サファイア基板上へ作製したα-Ga₂O₃バッファ層上へα-(Ir,Ga)₂O₃薄膜が成長した。成長レートは870 nm/hであり、従来の17倍以上の値であった。