2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-E102-1~6] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2023年3月16日(木) 10:30 〜 12:00 E102 (12号館)

東脇 正高(情通機構)

10:30 〜 10:45

[16a-E102-1] ミストCVD法による(001) β-Ga2O3薄膜のホモエピタキシャル成長

上田 遼1、西中 浩之1、永岡 達司2、三宅 裕樹2、吉本 昌広1 (1.京工繊大、2.ミライズテクノロジーズ)

キーワード:酸化ガリウム、エピタキシャル成長、薄膜