[16a-PB05-1~5] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-PB05-5] FeS₂天然結晶を用いた低閾値ショットキーバリアダイオードの作製

〇安藤 陸¹、前田 就彦¹ (1.東京工科大)

キーワード：ナローギャップ半導体、天然結晶、ショットキーバリアダイオード

FeS₂天然結晶に対してショットキーおよび、オーミック電極の実装とモールディングを行い、天然結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製に初めて成功した。また、I-V特性の測定を実施した結果、安定した特性が得られた他、フィッティング解析を実施した結果、バリアハイトは0.60 eVと評価され、FeS₂結晶はエネルギーハーベスティング等の技術に利用可能な低閾値半導体デバイス材料として有望であるという知見が得られた。