[16p-A408-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

△ [16p-A408-4] 超高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドへの電子照射による高濃度NVアンサンブルの作製

〇淺野 雄大¹、早坂 京祐¹、上田 真由¹、木村 晃介²、金久 京太郎¹、蔭浦 泰資^1,3、谷井 孝至¹、小野田 忍²、榎本 心平⁴、河野 省三⁴、川原田 洋^1,4 (1.早大理工、2.量研機構、3.物材機構、4.早大材研)

キーワード：NVセンター、ダイヤモンド

ダイヤモンド中のNVアンサンブルは、磁気センシングへの応用が期待されている。磁気感度は、センシングに寄与する NV センターの数 Nとコヒーレンス時間T2についてNT2の平方根に比例する為、長いT2を保ったまま高濃度なNVセンターを作製することで磁気感度が向上する。そこで、CVDにより高濃度窒素ドープダイヤ薄膜を作製し、次にTEMを用いて薄膜に局所的な電子照射を行い空孔を導入する事でNVアンサンブルの濃度の向上を試みた。