[16p-A409-1~17] 6.1 強誘電体薄膜

△ [16p-A409-12] (10-12)LiNbO₃スパッタエピ薄膜のGHz帯擬似横波励振特性

〇内田 拓希^1,2、工藤 慎也^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3,5,4 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST、5.JST-START)

キーワード：LiNbO3、エピタキシャル成長、c軸傾斜薄膜

LiNbO3（LN）は、Q値とk値が高いため、SAWフィルタに使用されている。しかし、通常のスパッタリング法で成長できるc軸配向LNのk値は低いため、BAWフィルタとして使用されていない。一方、Smartcutなどの薄片化技術を用いれば、任意の結晶方位の単結晶薄片を得ることができる 。しかし、バルクLN単結晶ウエハは6インチに対して、スパッタリング法で作製可能なAlN薄膜では8インチで実用化されており、配向制御が達成できれば、スパッタLN薄膜の優位性は高い。本研究では、エピタキシャルPt/c面オフ角Al2O3上でのc面傾斜LN薄膜のエピタキシャル成長を報告する。さらに、LN共振子の擬似厚み縦モード励振特性を報告する。