[16p-A409-1~17] 6.1 Ferroelectric thin films

[16p-A409-13] Ultrasonic resonance characteristics in the giga-hertz range of Ta doped LiNbO₃ epitaxial thin film

〇(B)Kae Nakamura^1,2, Shinya Kudo^1,2, Takahiko Yanagitani^1,2,3,4,5 (1.Waseda Univ., 2.ZAIKEN, 3.JST-CREST, 4.JST-FOREST, 5.JST-START)

Keywords:piezoelectric material, LN/LT, thin film

バルクLN単結晶ウエハは6インチに対して、スパッタリング法で作製可能なAlN薄膜では8インチで実用化されており、配向制御が達成できれば、スパッタLN薄膜の優位性は高い。本研究では、エピタキシャル(111)Pt/(0001)Al₂O₃上でのTaを5%ドープしたLiNbO₃薄膜のエピタキシャル成長を報告する。さらに、LiNbO₃共振子の厚み縦モード励振特性を報告する。