[16p-A409-1~17] 6.1 強誘電体薄膜

[16p-A409-13] Li_0.65Nb_0.3Ta_0.05O₃スパッタエピ薄膜のGHz帯励振特性

〇(B)中村 華英^1,2、工藤 慎也^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3,4,5 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST、5.JST-START)

キーワード：圧電体、LN/LT、薄膜

バルクLN単結晶ウエハは6インチに対して、スパッタリング法で作製可能なAlN薄膜では8インチで実用化されており、配向制御が達成できれば、スパッタLN薄膜の優位性は高い。本研究では、エピタキシャル(111)Pt/(0001)Al₂O₃上でのTaを5%ドープしたLiNbO₃薄膜のエピタキシャル成長を報告する。さらに、LiNbO₃共振子の厚み縦モード励振特性を報告する。