[16p-A409-1~17] 6.1 強誘電体薄膜

[16p-A409-2] µ-トランスファープリンティングによるチタン酸バリウム薄膜のSi基板上への転写

〇村井 俊哉¹、高 磊¹、コン グァンウェイ¹、三田村 宣明²、森戸 健²、山田 浩治¹ (1.産総研、2.富士通オプティカルコンポーネンツ)

キーワード：チタン酸バリウム、シリコンフォトニクス、電気光学材料

シリコンフォトニクスプラットフォームにおいて高速かつ高効率な光変調器の実現するためには,大きな電気光学(EO)係数を有するEO材料のSi上への集積が重要な課題である.強誘電材料チタン酸バリウム(BTO)は非常に大きなEO係数を持つが,Si上での成長にはバッファ層が必要であり,また非常に高い製膜温度を要する.本発表ではµ-トランスファープリンティング法によりバッファ層を介さずに直接BTO薄膜をSi基板上に転写した結果を報告する.