[16p-A409-1~17] 6.1 強誘電体薄膜

[16p-A409-5] ガラス基板上に作製された一軸配向性PZT薄膜の分極および圧電特性の改善

山崎 佑介¹、横田 幸恵¹、島 宏美²、中村 美子³、舟窪 浩³、〇内田 寛¹ (1.上智大、2.防衛大、3.東工大)

キーワード：強誘電体、薄膜、PZT

ガラス材料を基板としたPZT薄膜素子は圧電式触覚デバイスや各種の電気光学デバイスなど多方面の電子デバイスへの応用が期待できるが、素子製造にはガラス基板の熱歪み発生を回避するための低温加工技術が必要となる。我々はこれまでに金属酸化物ナノシート(ns-CN)をテンプレート層としたガラス基板上での一軸配向性PZT薄膜の低温成長ならびそれらの分極特性評価に関する成果を報告してきた。本発表では、更に優れた分極および圧電特性を有するPZT薄膜素子を製造するためのプロセス条件の検証結果について報告する。