[16p-B309-1~20] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

[16p-B309-20] 自己整合プロセスによる非対称ゲート構造カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製

〇(M1)堀 秀汰¹、内山 晴貴¹、片浦 弘道²、大野 雄高^1,3 (1.名大工、2.産総研、3.名大未来研)

キーワード：カーボンナノチューブ、薄膜トランジスタ

カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ(CNT TFT)はショットキ接触を用いた電極に起因し少数キャリアによるリーク電流I_Lが大きい．ドレイン-ゲート電極間のギャップによりI_Lを抑制できるが，プロセス中に収縮するプラスチック基板上ではリソグラフィによるギャップ長の精密な制御は困難である．本研究では，背面露光と斜め蒸着法による自己整合的なギャップを形成する手法を考案し，CNT TFTのI_Lを抑制した．