[16p-B414-1~16] 17.3 層状物質

△ [16p-B414-3] 走査型非線形誘電率顕微鏡によるSiO₂上機械剥離MoS₂の局所DLTS測定

〇石塚 太陽^1,2、山末 耕平² (1.東北大院工、2.東北大通研)

キーワード：層状半導体、走査型非線形誘電率顕微鏡

走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)を応用した局所DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)を層状半導体である二硫化モリブデン(MoS₂)に適用した．局所DLTS を用いてMoS₂の界面準位密度(Dit)を測定したところ，MoS₂のエッジ部分で高いDitが検出された．SNDMを用いることで層状半導体のエッジ部分の物性を微視的に観察し，評価できる可能性があるといえる．