[16p-B508-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[16p-B508-1] [第44回優秀論文賞受賞記念講演] HfO₂-ZrO₂ Nanolaminate構造における強誘電相の生成促進

〇右田 真司¹、太田 裕之¹、浅沼 周太郎¹、森田 行則¹、鳥海 明² (1.産総研、2.東大)

キーワード：強誘電体、ハフニア、ラミネート構造

半導体プロセスとの整合性に優れたHfO₂系強誘電体は、ロジックとメモリが融合する次世代情報処理システムへの活用が期待されている。強誘電性発現が報告された最初の報告以来、材料・プロセス・デバイスの研究を通して多くの知見が得られているが、その中でも鍵になるのがプロセスである。成膜方法、ドーピング、熱処理、さらには電極界面処理、これらを組み合わせて最適化することがHfO₂系強誘電体材料の性能を引き出す上で欠かせない。本報告では、結晶相の変化に着目した我々の研究を紹介させていただく。