[16p-B508-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[16p-B508-2] 最初の電界印加によって誘起されるHf_0.5Zr_0.5O₂薄膜の伝導特性の変化および強誘電化

〇森田 行則¹、女屋 崇²、浅沼 周太郎¹、太田 裕之¹、右田 真司¹ (1.産総研、2.東大)

キーワード：強誘電体、HfO2、ZrO2

Hf_0.5Zr_0.5O₂ (HZO)薄膜キャパシタに対する最初の電界印加による伝導特性の変化、および強誘電性の発現に関して述べる。強誘電体メモリの実用化のためには、書き込み―消去の電界印加サイクルにおける強誘電特性の時間耐久性が重要である。HfO₂系の強誘電体薄膜においては、数百〜数千サイクルの電圧印加で残留分極が増加するwake-up、およびサイクルを更に増加させた際に残留分極量が減少する疲労現象が指摘されていた。今回は、多数サイクル印可後の現象とは異なる、最初の1回の電界印加による変化に着目した。