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[16p-B508-3] Origin of oxygen vacancy formation originating from ferroelectric HfxZr1−xO2/TiN interface reaction in fatigued state
Keywords:HfO2-based ferroelectric films, endurance properties, fatigue properties
HfxZr1−xO2 (HZO)薄膜を用いた強誘電体デバイスの実用化に向けて、分極反転回数の増加に伴う残留分極(Psw)値の変動を抑制するプロセス技術が盛んに研究されている。特に、Psw値が減少する分極疲労の改善は急務であるが、この要因の一つとして考えられている酸素欠損(Vo)の生成起源に関して実験的に明らかにした例はない。本研究では、異なる分極反転サイクルを印加したTiN/HZO/TiNキャパシタのHZO/TiN界面での反応に着目して、分極疲労時のVoの生成起源を調べた。