[16p-E102-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-E102-2] (001) FZ成長ε-GaFeO₃基板上にミストCVD成長したκ-(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜中の欠陥のTEM評価

〇上田 修¹、西中 浩之²、池永 訓昭³、蓮池 紀幸²、吉本 昌広² (1.明治大、2.京都工繊大、3.金沢工大)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD、欠陥

(001)FZ成長したε-GaFeO₃基板上にミストCVD成長したκ-In_xGa_1-x)₂O₃薄膜中の欠陥をTEMにより評価した結果、U字型の転位半ループ及び微小欠陥が観察された。半ループは、幅が7-50 nmで、バーガースベクトルが<010>と決定された。また、微小欠陥は強い歪場を伴い、(001)面上の転位ループ等の欠陥と推定された。これらの結果に基づいて、欠陥の形成機構について議論する。