2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[16p-PA09-1~18] 6.4 薄膜新材料

2023年3月16日(木) 16:00 〜 18:00 PA09 (ポスター)

16:00 〜 18:00

[16p-PA09-13] RFマグネトロンスパッタリング法によって作製したMnドープ ITO薄膜の物性に対するアニール処理効果の評価

〇(M2C)武久 進太郎1、川村 亮人1、北川 彩貴1、中村 敏浩1,2 (1.京都大学大学院人間・環境学研究科、2.京都大学国際高等教育院)

キーワード:希薄磁性半導体、透明導電膜、アニール処理

近年、希薄磁性半導体がスピントロニクス材料として注目されている。本研究では、透明導電膜を利用した希薄磁性半導体であるMnドープ酸化インジウムスズ薄膜についてアニール処理が物性に及ぼす影響を解析した。アニール処理の結果として、結晶性の向上、キャリア密度の増大、移動度の減少、バンドギャップの増大などが確認された。加えて、磁性に対するアニール処理効果についても検討した。