[17a-A205-1~9] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[17a-A205-2] 電子サイクロトン共鳴プラズマスパッタリング(ECR)法を用いたSiCN薄膜の作製と評価

〇(B)大庭 優輝¹、伊藤 公秀¹、野瀬 正照²、青井 芳史¹ (1.龍谷大理工、2.富山大)

キーワード：電子サイクロトン共鳴プラズマスパッタリング法、炭窒化ケイ素、機械的性質

本研究では電子サイクロトン共鳴プラズマスパッタリング(ECR)法を用いて、異なる窒素流量比と基板温度でのSiCN薄膜の合成を試み、その構造と機械的性質の関係について検討した。窒素流量比は0〜0.9、基板温度は200〜600 ℃の間で変化させた。得られたSiCN薄膜は、X線光電子分光法(XPS)、Raman散乱分光法、原子間力顕微鏡(AFM)、ナノインデンテーション(ベルコビッチ圧子、押し込み荷重5 mN)、表面粗さ測定を用いて評価を行った。