[17a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17a-A301-4] (Al_xGa_1-x)₂O₃バックバリアを用いた横型Ga₂O₃ MOSFETの高周波特性

〇大槻 匠¹、上村 崇史¹、東脇 正高^1,2 (1.情通機構、2.大阪公立大院工)

キーワード：酸化ガリウム

beta-Ga₂O₃はパワー半導体材料として注目されているが、その高い化学的安定性や放射線耐性から、極限環境下での無線通信機器への応用も期待できる。これまで我々は、サブ0.1 umのゲート長を持つ横型高周波Ga₂O₃ MOSFETの開発を進めてきたが、高周波特性の向上には、ゲート長の微細化に伴う短チャネル効果の抑制が課題である。本研究では、短チャネル効果を抑制する目的で、横型Ga₂O₃ MOSFETに(Al_xGa_1-x)₂O₃バックバリア層を導入し、その高周波特性の評価を行った。