2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-B401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

2023年3月17日(金) 09:00 〜 11:45 B401 (2号館)

小林 篤(東大)、林 侑介(阪大)

10:45 〜 11:00

[17a-B401-6] 陰極線励起による単層六方晶BNのバンド端発光の観測

嶋 紘平1、Cheng Tin2、Mellor Christopher2、Beton Peter2、Elias Christine3、Gil Bernard3、Cassabois Guillaume3、Novikov Sergei2、秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.ノッティンガム大、3.CNRSモンペリエ大)

キーワード:窒化ホウ素、カソードルミネッセンス

単層化したhBN(mBN)は直接遷移型半導体であることが理論計算により予測され、それを支持する実験結果が報告され始めた。mBNは励起体積が小さくカソードルミネッセンス(CL)測定が困難とされ、6層未満のhBNのCL測定例はない。我々は、mBNを効率良く励起可能な独自のCL測定システムを用いてmBNのバンド端発光のCLによる観測に初めて成功したので報告する。