[17a-B409-1~9] 12.1 作製・構造制御

[17a-B409-3] P(VDF/TrFE)薄膜キャパシタのアニール処理時電界印加による分極制御

〇酢谷 陽平¹、平瀬 龍二¹、石原 マリ¹ (1.兵庫県立工業技術センター)

キーワード：P(VDF/TrFE)、分極制御、薄膜キャパシタ

強誘電性高分子として知られるP(VDF/TrFE)は、機能発現のための分極制御に成膜後の高電圧印加が必要といった課題を有している。本研究では、P(VDF/TrFE)薄膜キャパシタにおいて、分子運動性の高いアニール処理中に電極間に電圧印加を行うことで低電圧での分極制御を試み、XRD測定によるP(VDF/TrFE)の分極配列方向変化の電界強度依存性について報告する。