[17a-B414-1~7] 17.3 層状物質

[17a-B414-3] 2次元層状物質を材料とした垂直積層型ヘテロ構造チャネルの電界効果トランジスタにおける電気特性および光応答性

〇和泉 廣樹¹、高岡 毅²、安藤 淳³、Md. Nasiruddin¹、坂下 晃輔¹、佐藤 碧¹、岡田 光博³、久保 利隆³、米田 忠弘² (1.東北大院理、2.東北大多元研、3.産総研)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、電界効果トランジスタ、紫外可視分光

二硫化モリブデンを用いた電界効果トランジスタ（MoS₂-FET）では、700nmより長波長の光を吸収する吸着分子の電気的検出が難しい。対応波長範囲を広げることで、より実用的なセンサーの実現に近づくと考え、本研究ではWSe₂/MoS₂ヘテロ薄膜でのフォトルミネッセンス法にて発見された低エネルギーパスに着目した。第一歩としてWSe₂/MoS₂-FETを自作し、電気特性と光学応答の性能評価を行った。