[17a-D419-1~12] 6.4 薄膜新材料

[17a-D419-11] MgF₂(001)基板上に作製したWドープVO₂薄膜の金属-絶縁体転移

〇村岡 祐治¹、中原 隼人²、脇田 高徳¹、横谷 尚睦¹ (1.岡山大基礎研、2.岡山大院自然科学)

キーワード：二酸化バナジウム、金属絶縁体転移、MgF2基板

MgF₂(001)基板上へのWドープVO₂(VWO)膜において、面内格子整合した膜を作製できるかどうかを調査し、あわせて、伝導特性の評価の評価を行った。発表ではMgF₂とTiO₂基板上に作製した膜の伝導特性を比較結果から、VWO膜の金属絶縁体転移機構について言及する。