[17a-PB01-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-PB01-12] ミストCVD法によるAlO_x,TiO₂合金膜及び積層膜の作製

〇横山 工純¹、范 文博¹、白井 肇¹ (1.埼玉大理工)

キーワード：ミストCVD、AlOx,TiO2,AlTiO,、MOSFET,MOSdiode