[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-7] 137 keVの電子線照射で意図的に窒素関連欠陥準位を導入したn型GaNのホール効果測定

〇小島 千寛¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、点欠陥、深い準位

GaNの実用化に向け、点欠陥と欠陥準位の相関を理解する基礎研究が求められている。我々のグループは、450 keV未満の電子線を照射することによりn-GaN中の窒素原子のみを意図的に変位させ、DLTS測定により2つのピークEE1 (E_c − 0.13 eV), EE2 (E_c − 0.98 eV)を観測したことを報告してきた。本研究では、ホール効果測定によりこれらの準位を検証したので報告する。