14:45 〜 15:00 [17p-A301-7] 137 keVの電子線照射で意図的に窒素関連欠陥準位を導入したn型GaNのホール効果測定 〇小島 千寛1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)