[17p-A403-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

[17p-A403-14] TiO_x/SiO_y/結晶Siヘテロ構造におけるAl成膜後のパッシベーション性能に及ぼすLiF層の効果

〇深谷 昌平¹、後藤 和泰¹、松井 卓矢²、齋 均²、黒川 康良¹、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工、2.産総研　GZR)

キーワード：太陽電池、酸化チタン

高性能・低コストの結晶シリコン（c-Si）ヘテロ接合型太陽電池の実現に向けて、原子層堆積（ALD）法により成膜した酸化チタン（TiOx）をキャリア選択層として用いることが注目されているが、TiOx上にアルミニウム（Al）電極を形成することでc-Siのパッシベーション性能が大幅に低下するという課題がある。これは、TiOx／Al界面での酸化還元反応によるAl酸化物の形成やAlのTiOxやSiへの拡散などが考えられるが、その詳細については明らかになっていない。また、パッシベーション性能低下を抑制する手法としてTiOxとAlの間に極薄のフッ化リチウム（LiF）層の導入があるが、LiF層によるパッシベーション機構に関する研究は十分とはいえず、更なる調査が必要である。よって本研究ではLiFとTiOxを様々な順番で成膜した後Al電極を形成することで、Al成膜によるパッシベーション性能への影響を検討した。