[17p-B401-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17p-B401-5] AlGaN系UV-B LDのキャリア注入効率向上に向けたp層側構造の検討

〇近藤 涼輔¹、長谷川 亮太¹、薮谷 歩武¹、松原 衣里¹、服部 光希¹、岩山 章^1,2、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、難波江 宏一³、三好 晃平³、三宅 秀人² (1.名城大・理工、2.三重大・院・工、3.ウシオ電機)

キーワード：半導体、窒化物、紫外レーザ

本検討ではキャリア注入効率の向上へ向けてp側層構造に着目した。作製したサンプルはEBL層のAlNモル分率を0.9,0.77,0.65の3水準変化させレーザー特性を比較した。基板裏面からの自然放出強度はEBL層のAlNモル分率が低いほど大きくなるのに対し、シミュレーションでは逆の結果が得られた。これはTEM分析よりguide層とEBL層間の界面の急峻性が関係していることが確認された。