[17p-PB01-1~4] 9.1 Dielectrics, ferroelectrics

[17p-PB01-2] Preparation of AlN thin films with simultaneous addition of Mg and W

〇Kenji Hirata¹, Tomoya Toyofuku², Hiroshi Yamada^1,2, Sri Ayu Anggraini¹, Kodai Niitsu³, Masato Uehara^1,2, Morito Akiyama¹ (1.AIST, 2.Kyushu Univ., 3.NIMS)

Keywords:piezoelectric material, nitride, thin film

本研究グループでは、これまでにMgとWを添加したAlN (MgWAlN) において、ScAlNを超える圧電定数が期待されることを第一原理計算により見出している。本研究では、MgWAlN薄膜の作製と圧電定数の測定によって先行研究の計算結果を検証した。反応性多元同時スパッタリング法により作製したMgWAlN薄膜は、AlNにMgとWが固溶したウルツ鉱相で構成されており圧電応答が確認された。