[17p-PB07-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-PB07-14] THz-TDSEでの特性インピーダンスを用いた解析モデルによるScAlMgO₄基板上GaN薄膜の非破壊・非接触電気特性評価の検討

〇渡邉 迅登¹、王 丁丁¹、黒田 悠弥¹、後藤 直樹¹、藤井 高志^1,3、岩本 敏志³、出浦 桃子²、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.PNP)

キーワード：窒化ガリウム、テラヘルツエリプソメトリ

我々はScAlMgO₄（SAM）基板を活用し、RF-MBE法とHVPE法を組み合わせたGaN自立基板の作製を目指している。このうち、RF-MBE法で成長した1µm程度の薄膜テンプレートの非破壊・非接触特性評価手法として、テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリ（THz-TDSE）を提案している。今回は、特性インピーダンスを用いたモデル（CIモデル）の適用を検討した。