16:00 〜 18:00 [17p-PB07-14] THz-TDSEでの特性インピーダンスを用いた解析モデルによるScAlMgO4基板上GaN薄膜の非破壊・非接触電気特性評価の検討 〇渡邉 迅登1、王 丁丁1、黒田 悠弥1、後藤 直樹1、藤井 高志1,3、岩本 敏志3、出浦 桃子2、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.PNP)